Основные направления развития миниатюризации и микроминиатюризации радиоэлектронной аппаратуры и приборов

В настоящее время в связи с развитием электронной техники появилась возможность создания радиоэлектронной аппаратуры, компьютеров, аппаратуры связи, позволяющих решать сложные технические, научные и производственные задачи. Усложнение аппаратуры привело к резкому увеличению числа электро- и ра­диоэлементов, входящих в ее состав. Таким образом, появилась необходимость микроминиатюризации аппаратуры.

В развитии микроминиатюризации РЭА и приборов можно вы­делить четыре этапа.

1-й этап.Первоначально задачами миниатюризации радиоэлек­тронной аппаратуры являлись уменьшение размеров радиодета­лей и создание миниатюрных электровакуумных и полупроводни­ковых приборов, резисторов, конденсаторов, катушек индуктив­ности и переключателей.

Разработка радиодеталей в миниатюрном исполнении привела к появлению модулей и микромодулей, при этом объемный (навес­ной) монтаж радиоаппаратуры был заменен печатным. Благодаря этому был внедрен в производство новый метод конструирова­ния, названный модульным.

Модульная конструкция позволила:

1) существенно уменьшить массу и габариты аппаратуры по
сравнению с объемным монтажом;

2) резко повысить надежность работы аппаратуры;

3) уменьшить трудоемкость производственного процесса.

Модульное и микромодульное конструирование радиоаппара­туры значительно повышает степень механизации и автоматиза­ции, а также упрощает сборочно-монтажные и регулировочные работы благодаря тщательной отработке, наладке и тренировке модулей или микромодулей до установки их в блоки.

Промышленностью выпускается большая номенклатура мик­ромодулей и аппаратуры на их базе.

2-й этап.Дальнейшим развитием микроэлектроники и микро­электронной технологии явилось создание микросхем на основе пленочной технологии, в которых в качестве активных миниатюр­ных радиодеталей используются полупроводниковые приборы в микроминиатюрном исполнении, а пассивными элементами (ре­зисторами, конденсаторами и т.д.) служат тонкие пленки. Такая технология называется интегральной, а элементы схемы — пленоч­ными интегральными микросхемами.

3-й этап. В процессе совершенствования интегральной техно­логии были созданы микросхемы в одном кристалле полупровод­никового материала. Такие микросхемы называются полупроводни­ковыми микросхемами, или твердыми схемами. Кроме того, ведут­ся работы по дальнейшему увеличению числа активных элемен­тов в одном кристалле, т. е. по повышению степени интеграции. Уже созданы интегральные микросхемы с плотностью в несколь­ко сотен тысяч элементов на кристалл размером не более 1×1 мм.

4-й этап.В результате дальнейшего развития микроэлектроники были созданы многофункциональные молекулярные схемы, прин­цип действия которых основан на использовании различных объем­ных явлений, молекулярных и межмолекулярных связей. Такие схе­мы выполняют функции многих узлов, что позволит создать слож­нейшие радиоэлектронные устройства на основе нескольких микросхем.

Таким образом, развитие микроминиатюризации аппаратуры, начатое с уменьшения размеров радиодеталей, шло по пути со­здания новых материалов, новой технологии и использования со­вершенно новых принципов, основанных на молекулярных свой­ствах вещества.

Следует отметить, что достижения микроэлектроники позво­лили не только уменьшить размеры радиоэлектронной аппарату­ры, но и обеспечили увеличение надежности и долговечности, снижение стоимости и упрощение технологии изготовления ап­паратуры.

Зависимость параметров схемы усилителя от конструктивного исполнения

Параметр	Конструкция
на дискретных элементах с печатным монтажом	микромодульная	на микросхемах
Надежность (частота отказов на 100 ч работы) Объем блока, см 3 Мощность потребления, Вт	0,1 45, 0 5,0	0,05 12,20 0,75	0,0070 0,00016 0,0600

В табл. 3.1 приводятся некоторые сравнительные параметры схе­мы усилителя в различном конструктивном исполнении.

Основными направлениями развития микроэлектроники явля­ются разработка и создание унифицированных функциональных модулей и микромодулей, интегральных микросхем и молекуляр­ных функциональных устройств (молекулярных схем) (рис. 3.1).

Миниатюризация всех узлов устройств приборов машин

Основные направления развития миниатюризации и микроминиатюризации РЭА

Современное развитие электронной техники позволяет создавать РЭА, ЭВМ, аппаратуру связи, способные обеспечить решение сложных задач. Одновременно с усложнением аппаратуры резко возрастает число электро- и радиоэлементов, входящих в ее состав, следовательно, становятся более важными проблемы микроминиатюризации аппаратуры.

Первые попытки миниатюризации РЭА были направлены на уменьшение размеров радиодеталей и в первую очередь на создание миниатюрных электровакуумных и полупроводниковых приборов, резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, переключателей.

Разработка радиодеталей в миниатюрном исполнении привела к появлению модулей и микромодулей, а объемный (навесной) монтаж аппаратуры заменен печатным. Модульная и микромодульная конструкции позволили существенно уменьшить массу и габариты аппаратуры по сравнению с объемным монтажом, резко повысить надежность ее работы и снизить трудоемкость производственного процесса. Модульное, микромодульное конструирование радиоаппаратуры резко изменило характер производства: значительно повысилась степень механизации и автоматизации, упростились сборочно-монтажные и регулировочные работы благодаря тщательной отработке, наладке и тренировке модулей или микромодулей до установки их в блоки. В настоящее время выпускают большую номенклатуру микромодулей и аппаратуры на их базе.

Основной тенденцией в конструировании РЭА и ЭВМ является комплексная микроминиатюризация — микроэлектроника.

Микроэлектроника — это область электроники, охватывающая проблемы исследования, конструирования, изготовления и применения микроэлектронных изделий (интегральных микросхем).

Конструктивно-технологические процессы производства интегральных микросхем разделяют на толстопленочные, тонкопленочные и полупроводниковые. В соответствии с этим микросхемы подразделяются на пленочные интегральные микросхемы и полупроводниковые.

Трудности в создании пленочных активных элементов (диодов, транзисторов) вызвали необходимость в разработке и широком применении гибридных интегральных микросхем, пассивная часть которых состоит из проводников, конденсаторов, резисторов, изготовленных методами пленочной технологии, а активная—из готовых дискретных элементов.

Наибольшее распространение получили полупроводниковые интегральные микросхемы, основные элементы которых выполнены в виде транзисторных структур различных свойств и видов.

В настоящее время ученые работают над увеличением количества активных элементов в одном кристалле полупроводниковой интегральной микросхемы, т. е. повышением степени интеграции. Созданы микросхемы с плотностью в несколько сотен (большие интегральные схемы— БИС) и даже тысяч элементов (сверхбольшие интегральные системы — СБИС) на одном кристалле.

Это позволило перейти к новому этапу микроэлектроники — функциональной (молекулярной) микроэлектроники и созданию на ее базе новых типов приборов — функциональных молекулярных схем. Для функциональной микроэлектроники характерно использование различных объемных явлений, молекулярных и межмолеку-лярных связей. Помимо чисто электрических связей здесь используют оптические, акустические, магнитные, химические и другие явления.

Таким образом, развитие микроэлектроники происходило последовательно и микроминиатюризация аппаратуры, начатая с простого уменьшения размеров радиодеталей, шла по пути применения новых материалов, технологии и использования совершенно новых принципов, основанных на молекулярных свойствах веществ. Однако следует иметь в виду, что задача уменьшения размеров РЭА на основе микроэлектроники не является самоцелью, все это должно сочетаться с увеличением надежности и долговечности, снижением стоимости и упрощением технологии изготовления аппаратуры.

Некоторые сравнительные параметры схемы в различном конструктивном исполнении: на лампах с печатным монтажом, на полупроводниковых приборах в микромодульном исполнении и на интегральных микросхемах приведены в табл. 6.

Таблица 6. Зависимость параметров схемы и занимаемого ею объема от конструктивного исполнения

Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Миниатюризация — прибор

Миниатюризация приборов и систем заставляет изыскивать пути, позволяющие разработать компактные и в то же время надежные и удобные в работе приборы. [2]

К ним относятся применение микроэлектродов, миниатюризация приборов и датчиков, средств информатики, упрощающих использование электрохимических методов и обработку результатов измерений, расширение областей применения ион-селективных электродов. [3]

Развитие электроники в последние годы характеризуется тенденцией к миниатюризации приборов . [4]

В последние годы в связи с развитием тенденции миниатюризации высокоточных приборов возникла проблема получения высоких эксплуатационных характеристик, равномерного упрочнения всего объема металла — как поверхностных слоев, так и сердцевины; кроме того, возросли требования к качеству поверхности деталей. [5]

Магнитная энергия указанного сплава не высока, что сдерживает миниатюризацию приборов , в которых используются постоянные магниты. [6]

Таким образом, прогресс развития технологии микроэлектронного производства приводит к миниатюризации приборов , а следовательно, и к улучшению их технических характеристик. [7]

Алесковским метод химической сборки — послойного осаждения на подложку вещества из газовой фазы — перспективен для миниатюризации приборов микроэлектроники и их конструирования, для синтеза оптимальных сорбентов и катализаторов. Идея метода заключается в следующем. На специально подготовленной подложке, содержащей зародышевые структуры, хемосорбируются молекулы — источники нужных структурных наслоений. Затем на образовавшейся поверхности сорбируются все новые и новые слои определенных молекул. [8]

Алесковским метод химической сборки — : лойного осаждения на подложку вещества из газовой фазы — кпектнвен для миниатюризации приборов микроэлектроники и конструирования, для синтеза оптимальных сорбентов и ката-заторов. Идея метода заключается в следующем. На специ-эно подготовленной подложке, содержащей зародышевые уктуры, хемосорбируются молекулы — источники нужных струк-шых наслоений. Затем на образовавшейся поверхности сорби-отся все новые и новые слои определенных молекул. [9]

История аналитических применений электрохимических методов, которая началась с появления рН — метра, очень длинна. Твердотельные ячейки, микропроцессоры, миниатюризация приборов и повышение чувствительности позволяют проводить непрерывный анализ в отдельной живой клетке с помощью электродов, площадь которых составляет всего несколько квадратных микрон. Электроаналитические методы с успехом применяются в таких особо сложных случаях, как анализ движущихся водных потоков в реках, неводных потоков, возникающих в ходе химических процессов, изучение расплавов солей и охлаждающих жидкостей в корпусах ядерных реакторов. [10]

История аналитических применений электрохимических методов, которая началась с появления рН — метра, очень длинна. Твердотельные ячейки, микропроцессоры, миниатюризация приборов и повышение чувствительности позволяют проводить непрерывный анализ в отдельной живой клетке с помощью электродов, площадь которых составляет всего несколько квадратных микрон. Электроаналитические методы с успехом применяются в таких особо сложных случаях, как анализ движущихся водных потоков в реках, неводных потоков, возникающих в ходе химических; процессов, изучение расплавов солей и охлаждающих жидкостей в корпусах ядерных реакторов. [11]

Печатный монтаж в сочетании с микроминиатюрными приемно-усилп-тельными лампами, полупроводниковыми диодами и транзисторами, конденсаторами, сопротивлениями, переключателями и другими деталями резко упростили технологию сборки аппаратуры. Однако постоянно растущие требования к миниатюризации приборов и их надежности в работе требуют дальнейшего развития как конструкции приборов и аппаратуры, так и технологии их изготовления и сборки. [12]

Рассмотренные нами устройства представляют собой приборы, удовлетворяющие требованиям современной техники обычных линий электросвязи. Вместе с тем в процессе миниатюризации приборов и схем, помимо широкого внедрения полупроводников, начали интенсивно использоваться и другие миниатюрные детали и узлы схем с весьма широкими характеристиками. [13]

При относительно большом уровне выходной мощности ( 400 — 500 Вт) схемы импульсных усилителей-формирователей ( рис. 7.7 и 7.8) имеют уменьшенные габаритные размеры и вес, так как не содержат накопителей энергии. Это делает весьма перспективным их применение при решении задач миниатюризации приборов и устройств управления исполнительными элементами. [14]

Специфика работ, проводимых в соответствующих отраслях промышленности, определяется двумя факторами: использованием в качестве источников питания приборов высокочастотных осцилляторов и миниатюризацией приборов и систем. Каждый из этих факторов выдвигает требования, которые в совокупности создают весьма противоречивую задачу. [15]

Развитие микроминиатюризации аппаратуры

Миниатюризация как микромодульная компоновка компонентов с применением интегральной и функциональной микроэлектроники. Разработка радиодеталей в миниатюрном исполнении. Критерии, определяющие степень миниатюризации и выбор оптимальных размеров изделия.

Рубрика	Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид	реферат
Язык	русский
Дата добавления	26.12.2016
Размер файла	16,5 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Электроника представляет собой бурно развивающуюся отрасль науки и техники. Она изучает физические основы и практическое применение различных электронных приборов. К физической электронике относят: электронные и ионные процессы в газах и проводниках. На поверхности раздела между вакуумом и газом, твердыми и жидкими телами. К технической электронике относят изучение устройства электронных приборов и их применение. Область посвященная применению электронных приборов в промышленности называется — промышленной электроникой.

Успехи электроники в значительной степени стимулированы развитием радиотехники. Электроника и радиотехника настолько тесно связаны, что в 50-е годы их объединяют и эту область техники называют Радиоэлектроника. Радиоэлектроника сегодня это комплекс областей науки и техники, связанных с проблемой передачи, приема и преобразования информации при помощи электромагнитных колебаний и волн в радио и оптическом диапазоне частот. Электронные приборы служат основными элементами радиотехнических устройств и определяют важнейшие показатели радиоаппаратуры. С другой стороны многие проблемы в радиотехнике привели к изобретению новых и совершенствованию действующих электронных приборов. Эти приборы применяются в радиосвязи, телевидении, при записи и воспроизведении звука, в радиолокации, в радионавигации, в радиотелеуправлении, радиоизмерении и других областях радиотехники.

Современный этап развития техники характеризуется все возрастающим проникновении электроники во все сферы жизни и деятельности людей. По данным американской статистики до 80% от объема всей промышленности занимает электроника. Достижения в области электроники способствуют успешному решению сложнейших научно-технических проблем.

Повышению эффективности научных исследований, созданию новых видов машин и оборудования. Разработке эффективных технологий и систем управления: получению материала с уникальными свойствами, совершенствованию процессов сбора и обработки информации. Охватывая широкий круг научно-технических и производственных проблем, электроника опирается на достижения в различных областях знаний. При этом с одной стороны электроника ставит задачи перед другими науками и производством, стимулируя их дальнейшее развитие, и с другой стороны вооружает их качественно новыми техническими средствами и методами исследования.

1. Понятие миниатюризации

В настоящее время в связи с развитием электронной техники появилась возможность создания радиоэлектронной аппаратуры, компьютеров, аппаратуры связи, позволяющих решать сложные технические, научные и производственные задачи. Усложнение аппаратуры привело к резкому увеличению числа электро- и радиоэлементов, входящих в ее состав. Таким образом, появилась необходимость микроминиатюризации аппаратуры.

Миниатюризация — микромодульная компоновка компонентов с применением интегральной и функциональной микроэлектроники. Конструктивно к сборочным единицам относят модуль, микромодуль, гибридные интегральные микросхемы (ГИМ), полупроводниковые интегральные микросхемы, микропроцессоры и элементы на жидких кристаллах. Функционально модуль представляет собой сборочную единицу, выполненную на диэлектрическом основании и состоящую из малогабаритных навесных элементов. Технология изготовления модуля аналогична технологии изготовления печатной платы. Различают модули:

Конструкцию плоских модулей выполняют на печатных платах, определенных унифицированных размеров, из которых основными являются длина и ширина. Чаще всего платы выполняют в виде квадрата. Необходимая величина площади платы зависит от элементов, установленных на ней. Высота плоского модуля определяется габаритными размерами наибольшего элемента, входящего в модуль.

Современное развитие электронной техники позволяет создавать РЭА, ЭВМ, аппаратуру связи, способные обеспечить решение сложных задач. Одновременно с усложнением аппаратуры резко возрастает число электро- и радиоэлементов, входящих в ее состав, следовательно, становятся более важными проблемы микроминиатюризации аппаратуры.

Первые попытки миниатюризации РЭА были направлены на уменьшение размеров радиодеталей и в первую очередь на создание миниатюрных электровакуумных и полупроводниковых приборов, резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, переключателей.

Разработка радиодеталей в миниатюрном исполнении привела к появлению модулей и микромодулей, а объемный (навесной) монтаж аппаратуры заменен печатным. Модульная и микромодульная конструкции позволили существенно уменьшить массу и габариты аппаратуры по сравнению с объемным монтажом, резко повысить надежность ее работы и снизить трудоемкость производственного процесса. Модульное, микромодульное конструирование радиоаппаратуры резко изменило характер производства: значительно повысилась степень механизации и автоматизации, упростились сборочно-монтажные и регулировочные работы благодаря тщательной отработке, наладке и тренировке модулей или микромодулей до установки их в блоки. В настоящее время выпускают большую номенклатуру микромодулей и аппаратуры на их базе.

Основной тенденцией в конструировании РЭА и ЭВМ является комплексная микроминиатюризация — микроэлектроника.

Микроэлектроника — это область электроники, охватывающая проблемы исследования, конструирования, изготовления и применения микроэлектронных изделий (интегральных микросхем).

Конструктивно-технологические процессы производства интегральных микросхем разделяют на толстопленочные, тонкопленочные и полупроводниковые. В соответствии с этим микросхемы подразделяются на пленочные интегральные микросхемы и полупроводниковые.

Трудности в создании пленочных активных элементов (диодов, транзисторов) вызвали необходимость в разработке и широком применении гибридных интегральных микросхем, пассивная часть которых состоит из проводников, конденсаторов, резисторов, изготовленных методами пленочной технологии, а активная—из готовых дискретных элементов.

Наибольшее распространение получили полупроводниковые интегральные микросхемы, основные элементы которых выполнены в виде транзисторных структур различных свойств и видов.

В настоящее время ученые работают над увеличением количества активных элементов в одном кристалле полупроводниковой интегральной микросхемы, т. е. повышением степени интеграции. Созданы микросхемы с плотностью в несколько сотен (большие интегральные схемы— БИС) и даже тысяч элементов (сверхбольшие интегральные системы — СБИС) на одном кристалле.

Это позволило перейти к новому этапу микроэлектроники — функциональной (молекулярной) микроэлектроники и созданию на ее базе новых типов приборов — функциональных молекулярных схем. Для функциональной микроэлектроники характерно использование различных объемных явлений, молекулярных и межмолекулярных связей. Помимо чисто электрических связей здесь используют оптические, акустические, магнитные, химические и другие явления.

2. Критерии миниатюризации

радиодеталь миниатюрный аппаратура

Три основных критерия определяют степень миниатюризации изделия. Во-первых, с уменьшением размеров микросхемы можно рассчитывать на повышение объемов ее продажи и увеличение применения, особенно в таких областях, как медицина, телекоммуникации, космонавтика и военная промышленность. Однако оптимальный выбор размеров изделия представляет собой компромисс между возможностями технологии и затратами на его изготовление.

Во-вторых, для отраслей, в которых расходы на миниатюризацию изделий являются оправданными, одним из первоочередных требований является их высокая надежность.

Существующие технологии миниатюризации позволяют сократить общее число соединений и их длину. При этом уменьшается индуктивность выводов, повышается КПД изделия и уменьшается его перегрев. В результате увеличивается надежность изделия.

В-третьих, принятие решения о миниатюризации изделий нередко связано с производственными проблемами (плотностью размещения кристаллов микросхем, свойствами подложки с печатными проводниками, наличием компонентов, возможностью автоматизации производства), а также с ожидаемым соотношением производственных затрат и планируемой прибыли.

Если успех изделия на рынке зависит от степени его миниатюризации, способности работы на более высоких частотах и уменьшения рассеиваемой мощности, то большинство технологических проблем при его изготовлении так или иначе связано с монтажом кристалла на подложку. К примеру, с уменьшением размера кристаллов микросхем все более важной становится оптимальная трассировка проводников.

Неудачная трассировка может привести к увеличению паразитных емкости, индуктивности и сопротивления проводников, что увеличит потребляемую мощность и паразитные связи между элементами. Слишком плотное размещение дорожек может привести к увеличению отказов из-за короткого замыкания между ними.

3. Этапы миниатюризации

1-й этап. Первоначально задачами миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры являлись уменьшение размеров радиодеталей и создание миниатюрных электровакуумных и полупроводниковых приборов, резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности и переключателей.

Разработка радиодеталей в миниатюрном исполнении привела к появлению модулей и микромодулей, при этом объемный (навесной) монтаж радиоаппаратуры был заменен печатным. Благодаря этому был внедрен в производство новый метод конструирования, названный модульным.

Модульная конструкция позволила:

1) существенно уменьшить массу и габариты аппаратуры по

сравнению с объемным монтажом;

2) резко повысить надежность работы аппаратуры;

3) уменьшить трудоемкость производственного процесса.

Модульное и микромодульное конструирование радиоаппаратуры значительно повышает степень механизации и автоматизации, а также упрощает сборочно-монтажные и регулировочные работы благодаря тщательной отработке, наладке и тренировке модулей или микромодулей до установки их в блоки.

Промышленностью выпускается большая номенклатура микромодулей и аппаратуры на их базе.

2-й этап. Дальнейшим развитием микроэлектроники и микроэлектронной технологии явилось создание микросхем на основе пленочной технологии, в которых в качестве активных миниатюрных радиодеталей используются полупроводниковые приборы в микроминиатюрном исполнении, а пассивными элементами (резисторами, конденсаторами и т.д.) служат тонкие пленки. Такая технология называется интегральной, а элементы схемы — пленочными интегральными микросхемами.

3-й этап. В процессе совершенствования интегральной технологии были созданы микросхемы в одном кристалле полупроводникового материала. Такие микросхемы называются полупроводниковыми микросхемами, или твердыми схемами. Кроме того, ведутся работы по дальнейшему увеличению числа активных элементов в одном кристалле, т. е. по повышению степени интеграции. Уже созданы интегральные микросхемы с плотностью в несколько сотен тысяч элементов на кристалл размером не более 1×1 мм.

4-й этап. В результате дальнейшего развития микроэлектроники были созданы многофункциональные молекулярные схемы, принцип действия которых основан на использовании различных объемных явлений, молекулярных и межмолекулярных связей. Такие схемы выполняют функции многих узлов, что позволит создать сложнейшие радиоэлектронные устройства на основе нескольких микросхем.

Таким образом, развитие микроминиатюризации аппаратуры, начатое с уменьшения размеров радиодеталей, шло по пути создания новых материалов, новой технологии и использования совершенно новых принципов, основанных на молекулярных свойствах вещества.

Следует отметить, что достижения микроэлектроники позволили не только уменьшить размеры радиоэлектронной аппаратуры, но и обеспечили увеличение надежности и долговечности, снижение стоимости и упрощение технологии изготовления аппаратуры.

1. J. Jay Wilmer, “3-D Chip Scale with Lead-Free Processes”. — Журнал “Semiconductor International”, 2003, No 10.

2. Электронные компоненты и системы, 2009, № 1, с. 43-46

3. Мельниченко А. Технология миниатюризации РЭА — Учебник — Х., Феникс, 2009 — 486 с.

Размещено на Allbest.ru

Подобные документы

Разработка усилителя слабых сигналов в виде интегральной микросхемы (ИМС) в корпусе. Выбор технологии изготовления. Расчет геометрических размеров и топологии элементов интегральной микросхемы. Выбор навесных компонентов, типоразмера платы и корпуса.

курсовая работа [381,0 K], добавлен 29.10.2013

Выбор резистивного материала, проводников, подложки. Расчет размеров плёночных резисторов. Выбор конструкции корпуса, навесных компонентов, оборудования. Разработка топологии платы, схемы коммутации. Технология изготовления платы и сборки микросхемы.

курсовая работа [610,8 K], добавлен 26.11.2014

Изучение электрорадиоэлементов, которые включают соединители, резисторы, конденсаторы, индуктивности, и интегральных микросхем, включающих полупроводниковые и гибридные, устройства функциональной микроэлектроники. Оптическая запись и обработка информации.

курс лекций [5,7 M], добавлен 23.07.2010

История появления и проблемы микроэлектроники. Развитие современных средств вычислительной техники, робототехники, аппаратуры цифровых коммуникаций. Положения и принципы микроэлектроники. Технология толстых пленок. Аналоговые интегральные микросхемы.

курсовая работа [50,8 K], добавлен 12.02.2013

Анализ схемы электрической принципиальной. Расчет шага размещения интегральной схемы, размеров зоны ее расположения. Интерактивное размещение и трассировка. Создание контура печатной платы, размещение компонентов. Подготовка конструкторской документации.

курсовая работа [1,2 M], добавлен 25.12.2010

Создание интегральных схем и развитие микроэлектроники по всему миру. Производство дешевых элементов электронной аппаратуры. Основные группы интегральных схем. Создание первой интегральной схемы Килби. Первые полупроводниковые интегральные схемы в СССР.

реферат [28,0 K], добавлен 22.01.2013

Основные принципы построения АМ-ЧМ приемников. Анализ схемы электрической принципиальной ИМС TA2003. Разработка физической структуры кристалла, технологического маршрута изготовления и топологии интегральной микросхемы. Компоновка элементов и блоков.

дипломная работа [2,0 M], добавлен 01.11.2010